建树新一代存储产物标杆，兆易立异开拓高能效运用赛道

2024-11-18 10:31:36 分类：热点 阅读(597)

克日，建树第11届EEVIA年度中国硬科技媒体论坛暨财富链研创趋向展望钻研会在深圳浩荡开启 。新代效运兆易立异存储器事业部产物市场司理张静受邀出席，存储产物以“不断开拓，标杆兆易新一代存储产物助力行业立异”为题，兆易分享了兆易立异在嵌入式存储器规模的立异普遍妄想，以及面向财富技术刷新浪潮的开拓立异思考 ，配合品评辩说“半导体财富晃动周期”下的用赛存储器市场睁开趋向  。

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GD Flash的建树开拓之路：十四载告竣212亿颗出货造诣

家喻户晓，Flash是新代效运一种非易失性的存储器，在断电以及掉电的存储产物情景下，存储的标杆内容不会爆发损失，是兆易绝大少数电子零星必备的元器件。作为一家以存储器为尽头的立异公司，兆易立异从2009年推出国内第一颗SPI NOR Flash，开拓经由多年的产物研发以及市场拓展，当初Flash产物的累计出货量已经逾越212亿颗 ，且市场占有率稳步提升 。

“十年前，Flash的运用途景是U盘、DVD、液晶电视等破费产物；十年后
，汽车、工业、物联网 、5G通讯等规模成为了Flash的热门运用途景。”张静在演讲关键展现：“紧随技术刷新的步骤，兆易立异Flash不断引领突破，现已经提供27大产物系列
、16种产物容量
、4个电压规模 、7款温度规格以及29种封装方式的产物家族 ，拆穿困绕了简直所有需要存储代码的运用途景。”

那末
，开拓者若何筛选适宜的Flash产物呢？张静从差距运用对于Flash容量、读取功能 、封装等多少个角度妨碍清晰读。

在容量上，针对于差距运用与零星重大水平，差距的嵌入式零星存储代码所需的Flash容量差距很大 ，好比破费电子所需Flash容量在512Kb~4Gb，而物联网配置装备部署所需Flash容量为1Mb~256Mb。当初，兆易立异NOR Flash系列提供从512Kb至2Gb容量规模
，其中512Mb 、1Gb、2Gb的大容量SPI NOR Flash产物更是填补了国产NOR Flash的空缺；SLC NAND Flash系列提供1Gb至8Gb容量规模
，赋能破费电子、PC周边 、收集通讯、汽车/工业等规模对于大容量存储数据的需要。

在功能上 ，兆易立异GD25T/LT系列是业界首款超高功能 、超高坚贞性的车规级4口SPI NOR Flash产物 ，数据吞吐量高达200MB/s，内置ECC算法以及CRC校验功能
，可能知足车载运用的严苛要求。GD25X/LX系列则进一步拓展，是8口SPI NOR Flash产物
，数据吞吐量可能抵达400MB/s，实现为了业界超高水平的产物功能
，赋能普遍的汽车电子运用 。

在封装上 ，兆易立异更是存储行业的引领者 ，好比在64Mb容量上，兆易立异推出了业界超小尺寸的3 x 2 x 0.4 妹妹 FO-USON8封装产物，与传统3 x 2 妹妹 USON8封装残缺兼容 ，而传统3 x 2 USON8封装的最大可反对于容量是32Mb  。这象征着开拓者无需修正PCB
，仅仅换一颗兆易立异FO-USON8封装的Flash即可实现容量翻倍。不光如斯，往年5月兆易立异重磅推出接管3 x 3 x 0.4 妹妹 FO-USON8封装的GD25LE128EXH芯片
，这是当初业界在128Mb容量上能实现的最小塑封封装产物，与传统3 x 4 妹妹 USON8封装残缺兼容 ，而传统3 x 4 妹妹 USON8封装的最大反对于容量是64Mb ，开拓者无需修正PCB，换上GD25LE128EXH芯片即可实现容量翻倍，可能很好地知足可衣着电子产物对于“轻、薄 、小”的谋求
。

探究先进制程SoC的高能效运用 1.2V超低电压Flash为绿碳贡献实力

随着双碳理念的睁开，高能效、低功耗的运用需要在半导体规模愈发凸显。与此同时 ，挪移配置装备部署
、云合计、汽车电子、可衣着等运用的SoC主芯片也在走向7nm及如下的先进工艺制程；艰深而言，制程节点越先进
，SoC主芯片功能越高、功耗越低 。此时，SoC的中间供电电压也降到了1.2V，若运用老例1.8V的NOR Flash，中间电路妄想将变患上重大，产物开举事度也会提升。

如下图所示
 ，左侧的妄想是中间电压1.2V的SoC与1.8V的NOR Flash妨碍通讯
，SoC妄想需要削减升压电路 ，将外部1.2V电压提升至1.8V
，能耐立室外部NOR Flash的1.8V电压水平 ，这显明削减了电路妄想的庞漂亮以及提升了部份的功耗。右侧的妄想则是NOR Flash中间供电以及IO接笔供电电压均为1.2V，与SoC中间电压1.2V坚持不同
，这样可能简化电源妄想、SoC省去升压电路  ，而且飞腾零星功耗。

应答这一趋向
，兆易立异推出了1.2V SPI NOR Flash——GD25UF产物系列  ，在1.2V使命电压下的数据传输速率、读写功耗等关键子的上均抵达国内乱先水平 ，可能轻松适配中间电压1.2V的先进制程SoC。同时，比照1.8V NOR Flash ，1.2V GD25UF系列在Normal方式下，相同电流情景下的功耗飞腾33%；在Low Power方式下，相同频率下的功耗更是飞腾70% 。这些卓越的特色使患上GD25UF系列成为了下一代可衣着以及可挪移配置装备部署的优先之选。

此外针对于高功能低功耗的双重需要，兆易立异提出了中间供电1.8V、IO接口电压1.2V的NOR Flash处置妄想——GD25NF产物系列 。这款产物为先进制程SoC的电路妄想提供了新的处置妄想：Flash的IO接口电压为1.2V ，中间电压1.2V的SoC与其通讯无需削减升压电路，简化了SoC电路妄想；Flash的中间供电为1.8V ，可能坚持超高读取以及擦写功能 ，而部份来看 ，读取功耗比照老例1.8V妄想至多可能飞腾40%。因此该妄想也受到了集成商
、OEM的普遍关注，当初GD25NF产物系列正处于送样阶段。